Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIHP050N60E-GE3 Datenblatt

SIHP050N60E-GE3 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 264,21 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIHP050N60E-GE3
SIHP050N60E-GE3 Datenblatt Seite 1
SIHP050N60E-GE3 Datenblatt Seite 2
SIHP050N60E-GE3 Datenblatt Seite 3
SIHP050N60E-GE3 Datenblatt Seite 4
SIHP050N60E-GE3 Datenblatt Seite 5
SIHP050N60E-GE3 Datenblatt Seite 6
SIHP050N60E-GE3 Datenblatt Seite 7
SIHP050N60E-GE3 Datenblatt Seite 8
SIHP050N60E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

51A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3459pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

278W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3