SIZ980DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ980DT-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIZ980DT-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V Leistung - max 20W, 66W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® |
