Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt

SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 106,51 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SMMB911DK-T1-GE3
SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SMMB911DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SMMB911DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-75-6L Dual