Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STD8N60DM2 Datenblatt

STD8N60DM2 Datenblatt
Total Pages: 17
Größe: 377,65 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STD8N60DM2
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 1
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 2
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 3
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 4
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 5
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 6
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 7
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 8
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 9
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 10
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 11
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 12
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 13
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 14
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 15
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 16
STD8N60DM2 Datenblatt Seite 17
STD8N60DM2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ DM2

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

375pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

85W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63