VS-GB75DA120UP Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GB75DA120UP
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max 658W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
