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ZXMN3A04KTC Datenblatt

ZXMN3A04KTC Datenblatt
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Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: ZXMN3A04KTC
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ZXMN3A04KTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.15W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63