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MTFC4GLDDQ-4M IT

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 32G MMC 100LBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: e•MMC™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 32Gb (4G x 8)
• Speicherschnittstelle: MMC
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 100-LBGA (14x18)

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MT46H256M32L4SA-48 WT:C

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 8Gb (256M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 208MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14.4ns
• Zugriffszeit: 5.0ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-TFBGA (12x12)

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RMLV0416EGSB-4S2#AA0

Renesas Electronics America

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP2

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IS61DDB22M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
• Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 8.4ns
• Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

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CY7C1305TV25-167BZXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 2.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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CY7C027-20AXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 512Kb (32K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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CY7C144E-55JXCT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 68-LCC (J-Lead)
• Lieferantengerätepaket: 68-PLCC (24.23x24.23)

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CY7C136E-55JXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 52-LCC (J-Lead)
• Lieferantengerätepaket: 52-PLCC (19.13x19.13)

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CY7C144E-55JXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 68-LCC (J-Lead)
• Lieferantengerätepaket: 68-PLCC (24.23x24.23)

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N25Q256A11EF840E

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NOR
• Speichergröße: 256Mb (64M x 4)
• Speicherschnittstelle: SPI
• Taktfrequenz: 108MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 5ms
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 2V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

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MT49H8M36BM-33 IT:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (8M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)

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MT49H32M18BM-33:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)

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MT49H16M36BM-33:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)

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MT44K32M18RB-093E IT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1067MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)

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MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 64Gb (8G x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP

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MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 512Gb (64G x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 100MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 100-LBGA (12x18)

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MT29F16G08AJADAWP-IT:D

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 16Gb (2G x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 128Gb (16G x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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MT49H16M36BM-33:B TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)

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M25P128-VME6TGB TR

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 128M SPI 54MHZ 8VDFPN

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NOR
• Speichergröße: 128Mb (16M x 8)
• Speicherschnittstelle: SPI
• Taktfrequenz: 54MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ms, 5ms
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

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CY7C1081DV33-12BAXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 12ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (8x9.5)

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R1LV1616RSD-5SI#B0

Renesas Electronics America

Speicher

IC SRAM 16M PARALLEL 52TSOP II

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM
• Speichergröße: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 52-TSOP II

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R1LV1616RSA-7SI#S0

Renesas Electronics America

Speicher

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM
• Speichergröße: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
• Zugriffszeit: 70ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I

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AT45DB642D-CNU-SL954

Adesto Technologies

Speicher

IC FLASH 64M SPI 66MHZ 8CASON

• Hersteller: Adesto Technologies
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH
• Speichergröße: 64Mb (1K Bytes x 8192 pages)
• Speicherschnittstelle: SPI
• Taktfrequenz: 66MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 6ms
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-VDFN
• Lieferantengerätepaket: 8-CASON (6x8)

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AT45DB642D-TU

Adesto Technologies

Speicher

IC FLASH 64M SPI 66MHZ 28TSOP

• Hersteller: Adesto Technologies
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH
• Speichergröße: 64Mb (1056 Bytes x 8192 pages)
• Speicherschnittstelle: SPI
• Taktfrequenz: 66MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 6ms
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-TSOP

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AT45DB642D-CNU

Adesto Technologies

Speicher

IC FLASH 64M SPI 66MHZ 8CASON

• Hersteller: Adesto Technologies
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH
• Speichergröße: 64Mb (1056 Bytes x 8192 pages)
• Speicherschnittstelle: SPI
• Taktfrequenz: 66MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 6ms
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-VDFN
• Lieferantengerätepaket: 8-CASON (6x8)

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CY7C1563XV18-600BZXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 600MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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MT49H16M36FM-18:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 15ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)

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CY7C1168KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II+
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1150KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II+
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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