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CY7C1514KV18-300BZXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1513KV18-300BZC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II
• Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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CY7C25702KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II+
• Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 550MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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MTFC128GAJAECE-AIT

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 1T MMC

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: e•MMC™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 1Tb (128G x 8)
• Speicherschnittstelle: MMC
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 169-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 169-LFBGA (14x18)

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DS1265Y-70IND+

Maxim Integrated

Speicher

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

• Hersteller: Maxim Integrated
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 8Mb (1M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
• Zugriffszeit: 70ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 36-EDIP

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DS1265W-100+

Maxim Integrated

Speicher

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

• Hersteller: Maxim Integrated
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 8Mb (1M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns
• Zugriffszeit: 100ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 36-EDIP

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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 1Tb (128G x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: 132-VBGA (12x18)

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MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 128Gb (16G x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 100MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 100-TBGA (12x18)

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7027S35G

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 512K PARALLEL 108PGA

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 512Kb (32K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns
• Zugriffszeit: 35ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 108-BPGA
• Lieferantengerätepaket: 108-PGA (30.48x30.48)

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MTFC128GAJAEDN-IT

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 1T MMC

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: e•MMC™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 1Tb (128G x 8)
• Speicherschnittstelle: MMC
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 169-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 169-LFBGA (14x18)

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MTFC128GAPALNS-AAT

Micron Technology Inc.

Speicher

IC FLASH 1T MMC

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: e•MMC™
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NAND
• Speichergröße: 1Tb (128G x 8)
• Speicherschnittstelle: MMC
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: -
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 153-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 153-TFBGA (11.5x13)

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CY7C1520KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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7142LA55CB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 48-SIDE BRAZED

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7142LA35CB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns
• Zugriffszeit: 35ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 48-SIDE BRAZED

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7132LA55CB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 48-SIDE BRAZED

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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 64G 2133MHZ

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4
• Speichergröße: 64Gb (1G x 64)
• Speicherschnittstelle: -
• Taktfrequenz: 2133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.1V
• Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 376-WFBGA
• Lieferantengerätepaket: 376-WFBGA (14x14)

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7132SA55CB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns
• Zugriffszeit: 55ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 48-SIDE BRAZED

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7132SA35CB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns
• Zugriffszeit: 35ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 48-SIDE BRAZED

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MT53E2G32D4DT-046 WT:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM LPDDR4 FBGA

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: -
• Speicherformat: -
• Technologie: -
• Speichergröße: -
• Speicherschnittstelle: -
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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DS1250YP-70IND+

Maxim Integrated

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

• Hersteller: Maxim Integrated
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
• Zugriffszeit: 70ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 34-PowerCap™ Module
• Lieferantengerätepaket: 34-PowerCap Module

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MTA9ASF1G72PZ-2G9E1

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 72G PARALLEL 1467MHZ

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 72Gb (1G x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1467MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.2V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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IS61LPS409618B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61DDPB24M18A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR IIP
• Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

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IS61DDPB22M36A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, DDR IIP
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

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70V658S15BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 15ns
• Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 208-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

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7132SA100CB

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Speichergröße: 16Kb (2K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns
• Zugriffszeit: 100ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• Lieferantengerätepaket: 48-SIDE BRAZED

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CY7C2262XV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 450MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (13x15)

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MTFC128GAPALNS-IT

Micron Technology Inc.

Speicher

MODULE EMMC 128GB

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: -
• Speicherformat: -
• Technologie: -
• Speichergröße: -
• Speicherschnittstelle: -
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: -
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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DS1250YP-70+

Maxim Integrated

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

• Hersteller: Maxim Integrated
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
• Zugriffszeit: 70ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 34-PowerCap™ Module
• Lieferantengerätepaket: 34-PowerCap Module

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MT44K64M18RB-093E:A

Micron Technology Inc.

Speicher

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

• Hersteller: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1067MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-BGA (13.5x13.5)

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