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2N1485
2N1485

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager31
2N1483
2N1483

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager148
JAN2N3740
JAN2N3740

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 4A TO-66

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/441
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
  • Leistung - max: 25W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2
  • Lieferantengerätepaket: TO-66 (TO-213AA)
Auf Lager951
JAN2N1893S
JAN2N1893S

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 0.5A TO-39

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/182
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 3W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager357
JANTX2N2605
JANTX2N2605

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.03A

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/354
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Leistung - max: 400mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-46 (TO-206AB)
Auf Lager3.956
JANTX2N3741
JANTX2N3741

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A TO-66

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/441
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
  • Leistung - max: 25W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2
  • Lieferantengerätepaket: TO-66 (TO-213AA)
Auf Lager265
2N2945A
2N2945A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

PNP TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager282
JAN2N2605
JAN2N2605

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.03A TO46

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/354
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Leistung - max: 400mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-46-3
Auf Lager4.746
2N3725L
2N3725L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 500MA

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager206
2N3743
2N3743

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

PNP TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager31
2N3468
2N3468

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager251
2N3735L
2N3735L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 40V 1.5A TO-5

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-5
Auf Lager214
BU806
BU806

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: 60W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager67
2N699
2N699

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager289
JANTX2N6274
JANTX2N6274

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 50A TO-3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/514
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V
  • Leistung - max: 250W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AE
  • Lieferantengerätepaket: TO-3
Auf Lager82
JANS2N5339U3
JANS2N5339U3

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 5A SMD5

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/560
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 5-SMD
  • Lieferantengerätepaket: SMD5
Auf Lager226
JANTXV2N5745
JANTXV2N5745

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 20A TO-3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/433
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-3
Auf Lager116
JANTX2N6052
JANTX2N6052

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/501
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
  • Leistung - max: 150W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-204AA (TO-3)
Auf Lager160
JANTX2N3868
JANTX2N3868

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.003A TO-5

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/350
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-5
Auf Lager210
JAN2N3501
JAN2N3501

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 150V 0.3A

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/366
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager4.944
JANTX2N3739
JANTX2N3739

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 300V 1A TO-66

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/402
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V
  • Leistung - max: 20W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager39
JANTX2N6251
JANTX2N6251

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 350V 10A TO-3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/510
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V
  • Leistung - max: 5.5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-3
Auf Lager208
2N5308
2N5308

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager259.670
MJH6287G
MJH6287G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 100V 20A TO247

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
  • Leistung - max: 160W
  • Frequenz - Übergang: 4MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-247-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
Auf Lager1.484
HT32A
HT32A

Littelfuse

Thyristoren - DIACs, SIDACs

DIAC 28-36V 2A DO35

  • Hersteller: Littelfuse Inc.
  • Serie: -
  • Spannungsdurchbruch: 28 ~ 36V
  • Current - Breakover: 15µA
  • Current - Hold (Ih) (Max): -
  • Strom - Spitzenleistung: 2A
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Paket / Fall: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Lieferantengerätepaket: DO-35
Auf Lager46
HT40
HT40

Littelfuse

Thyristoren - DIACs, SIDACs

DIAC 35-45V 2A DO35

  • Hersteller: Littelfuse Inc.
  • Serie: -
  • Spannungsdurchbruch: 35 ~ 45V
  • Current - Breakover: 15µA
  • Current - Hold (Ih) (Max): -
  • Strom - Spitzenleistung: 2A
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Paket / Fall: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Lieferantengerätepaket: DO-35
Auf Lager4.907
LIC01-215B-TR
LIC01-215B-TR

STMicroelectronics

Thyristoren - DIACs, SIDACs

IC LIGHT IGNITION CIRCUIT I-PAK

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Spannungsdurchbruch: 215 ~ 255V
  • Current - Breakover: 500µA
  • Current - Hold (Ih) (Max): 50mA
  • Strom - Spitzenleistung: 1.2A
  • Betriebstemperatur: -20°C ~ 125°C (TJ)
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
Auf Lager116
K2000E70
K2000E70

Littelfuse

Thyristoren - DIACs, SIDACs

SIDAC 190-215V 1A TO92

  • Hersteller: Littelfuse Inc.
  • Serie: -
  • Spannungsdurchbruch: 190 ~ 215V
  • Current - Breakover: 10µA
  • Current - Hold (Ih) (Max): 150mA
  • Strom - Spitzenleistung: 1A
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Paket / Fall: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager13.125
K1200GRP
K1200GRP

Littelfuse

Thyristoren - DIACs, SIDACs

SIDAC 110-125V 1A DO15

  • Hersteller: Littelfuse Inc.
  • Serie: -
  • Spannungsdurchbruch: 110 ~ 125V
  • Current - Breakover: 10µA
  • Current - Hold (Ih) (Max): 150mA
  • Strom - Spitzenleistung: 1A
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Paket / Fall: DO-204AC, DO-15, Axial
  • Lieferantengerätepaket: DO-15
Auf Lager5.795
K2401GL
K2401GL

Littelfuse

Thyristoren - DIACs, SIDACs

SIDAC MP 220-250V H.V. DO15

  • Hersteller: Littelfuse Inc.
  • Serie: -
  • Spannungsdurchbruch: 220 ~ 250V
  • Current - Breakover: 10µA
  • Current - Hold (Ih) (Max): 30mA
  • Strom - Spitzenleistung: 1A
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Paket / Fall: DO-204AC, DO-15, Axial
  • Lieferantengerätepaket: DO-15
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