1N3210
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| Teilenummer | 1N3210 |
| PNEDA Teilenummer | 1N3210 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 15A DO5 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N3210 Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N3210 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N3210 Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-203AB (DO-5) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Littelfuse Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 580mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.2mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall P600, Axial Lieferantengerätepaket P600 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 155°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/297 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 110A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
