1N4596R
Nur als Referenz
| Teilenummer | 1N4596R |
| PNEDA Teilenummer | 1N4596R |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.614 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N4596R Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N4596R |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N4596R Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 150A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 150A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 3.5mA @ 1400V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-205AA, DO-8, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-205AA (DO-8) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -60°C ~ 200°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 80V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 42pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket TLM364 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/503 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 850mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.04V @ 9.4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket A-PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 155°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 25V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-76, SOD-323 Lieferantengerätepaket PG-SOD323-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
