1N485BTR
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| Teilenummer | 1N485BTR |
| PNEDA Teilenummer | 1N485BTR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 216.246 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N485BTR Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N485BTR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N485BTR Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25nA @ 175V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 421pF @ 1V, 100kHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Semtech Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 120A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.12V @ 120A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 1800pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall HALF-PAK Lieferantengerätepaket PRM1-1 (Half Pak Module) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
