1N5806TR
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| Teilenummer | 1N5806TR |
| PNEDA Teilenummer | 1N5806TR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5806TR Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N5806TR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5806TR Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | A, Axial |
| Lieferantengerätepaket | A-PAK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
