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1SD312F2-CM900HC-90H

1SD312F2-CM900HC-90H

Nur als Referenz

Teilenummer 1SD312F2-CM900HC-90H
PNEDA Teilenummer 1SD312F2-CM900HC-90H
Beschreibung IGBT GATE DRIVER PLUG&PLAY
Hersteller Power Integrations
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1SD312F2-CM900HC-90H Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1SD312F2-CM900HC-90H
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
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1SD312F2-CM900HC-90H Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-1
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung15.5V ~ 16.8V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)12A, 12A
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)100ns, 100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.75V, 4.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

20mA, 15mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9.2ns, 7.9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TLE7182EMXUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7V ~ 34V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

55V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

250ns, 200ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

PG-SSOP-24-4

IRS2453DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Full-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 15.6V

Logikspannung - VIL, VIH

4.7V, 9.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

180mA, 260mA

Eingabetyp

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

120ns, 50ns

Betriebstemperatur

-25°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

14-DIP

EL7155CSZ-T7

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3.5A, 3.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14.5ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

L6498LD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.45V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2.5A

Eingabetyp

CMOS/TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

500V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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