2304
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2304 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2304 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 14.108 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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2304 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2304 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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2304 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Frequenz - Übergang | 2.3GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8dB |
| Leistung - max | 10.2W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 300mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 600mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55BT |
| Lieferantengerätepaket | 55BT |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.4dB Leistung - max 700W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55ST Lieferantengerätepaket 55ST |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 1GHz Gewinn 8.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket 3-ECSP1006 |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 550MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.5dB @ 100MHz Gewinn 23dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket S-Mini |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz Gewinn 15dB Leistung - max 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
