2N2647
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| Teilenummer | 2N2647 |
| PNEDA Teilenummer | 2N2647 |
| Beschreibung | THROUGH-HOLE UJT |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.552 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2N2647 Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N2647 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Programmierbare Unijunction |
| Datenblatt |
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2N2647 Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Spannung | - |
| Verlustleistung (max.) | 300mW |
| Spannung - Ausgang | 6V |
| Spannung - Offset (Vt) | - |
| Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) | - |
| Current - Valley (Iv) | 18mA |
| Strom - Spitze | 2µA |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Spannung - Verlustleistung (max.) 300mW Spannung - Ausgang 3V Spannung - Offset (Vt) - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) - Current - Valley (Iv) 2mA Strom - Spitze 2µA Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Spannung 40V Verlustleistung (max.) 300mW Spannung - Ausgang 11V Spannung - Offset (Vt) 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) 10nA Current - Valley (Iv) 25µA Strom - Spitze 150nA Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Spannung 40V Verlustleistung (max.) 167mW Spannung - Ausgang 6V Spannung - Offset (Vt) 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) 10nA Current - Valley (Iv) 25µA Strom - Spitze 150nA Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Spannung 40V Verlustleistung (max.) 300mW Spannung - Ausgang 11V Spannung - Offset (Vt) 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) 10nA Current - Valley (Iv) 50µA Strom - Spitze 2µA Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Spannung 40V Verlustleistung (max.) 300mW Spannung - Ausgang 11V Spannung - Offset (Vt) 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) 10nA Current - Valley (Iv) 25µA Strom - Spitze 150nA Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
