2N3019S
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| Teilenummer | 2N3019S |
| PNEDA Teilenummer | 2N3019S |
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 1A TO-39 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N3019S Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N3019S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2N3019S Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 (TO-205AD) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
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