2N4117A
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2N4117A | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2N4117A_243 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 8.198 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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2N4117A Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N4117A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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2N4117A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 40V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 30µA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 600mV @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-206AF (TO-72) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 75 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 4nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 40 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 100mV @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket Mini3-G1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 24mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
