2N4339-2
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| Teilenummer | 2N4339-2 |
| PNEDA Teilenummer | 2N4339-2 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.604 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N4339-2 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N4339-2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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2N4339-2 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 50V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 500µA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 600mV @ 100nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-206AA (TO-18) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AA (TO-18) |
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