2N5109
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2N5109 |
| PNEDA Teilenummer | 2N5109_5E |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.960 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2N5109 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N5109 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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2N5109 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Frequenz - Übergang | 1.2GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 2.5W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 15V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 400mA |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 20dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz Gewinn 11dB ~ 13dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 35V Frequenz - Übergang 118MHz ~ 136MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.4dB Leistung - max 15W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M135 Lieferantengerätepaket M135 |
