2N5639G
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| Teilenummer | 2N5639G |
| PNEDA Teilenummer | 2N5639G |
| Beschreibung | JFET N-CH 35V 0.31W TO92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N5639G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N5639G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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2N5639G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25mA @ 20V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 12V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 60 Ohms |
| Leistung - max | 310mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
