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2N7002DWA-7

2N7002DWA-7

Nur als Referenz

Teilenummer 2N7002DWA-7
PNEDA Teilenummer 2N7002DWA-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 7.416
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N7002DWA-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N7002DWA-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
2N7002DWA-7, 2N7002DWA-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 524,36 KB)
PDF2N7002DWA-7 Datenblatt Cover
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2N7002DWA-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 50V

Leistung - max

25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

251pF @ 25V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1465pF @ 15V

Leistung - max

4.4W

Betriebstemperatur

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