2SA1977-T1B-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SA1977-T1B-A |
| PNEDA Teilenummer | 2SA1977-T1B-A |
| Beschreibung | RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.626 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SA1977-T1B-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SA1977-T1B-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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2SA1977-T1B-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 1GHz |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.7dB @ 900MHz Gewinn 12.5dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 200mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 28V Frequenz - Übergang 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB ~ 10dB Leistung - max 65W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Channel, DIN Rail Mount Paket / Fall 55JV Lieferantengerätepaket 55JV |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Gewinn 13dB ~ 22.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 4.5dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
