2SC2655-Y(6MBH1,AF
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SC2655-Y(6MBH1,AF |
| PNEDA Teilenummer | 2SC2655-Y-6MBH1-AF |
| Beschreibung | TRANS NPN 2A 50V TO226-3 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC2655-Y(6MBH1 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC2655-Y(6MBH1,AF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2SC2655-Y(6MBH1 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Leistung - max | 900mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Lieferantengerätepaket | TO-92MOD |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
