2SC5201,T6MURAF(J
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SC5201,T6MURAF(J |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5201-T6MURAF-J |
| Beschreibung | TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.824 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SC5201 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5201,T6MURAF(J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2SC5201 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500mA, 20mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 20mA, 5V |
| Leistung - max | 900mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Lieferantengerätepaket | TO-92MOD |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 85 @ 150mA, 10V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 140MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SMT3; MPAK |
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