2SK3377(0)-Z-E1-AZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK3377(0)-Z-E1-AZ | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SK3377-0-Z-E1-AZ | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | TRANSISTOR | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 7.256 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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2SK3377(0)-Z-E1-AZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK3377(0)-Z-E1-AZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
2SK3377(0)-Z-E1-AZ, 2SK3377(0)-Z-E1-AZ Datenblatt
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2SK3377(0)-Z-E1-AZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9700pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 100W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-LDPAK Paket / Fall SC-83 |
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