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2SK3707

2SK3707

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK3707
PNEDA Teilenummer 2SK3707
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 20A TO-220ML
Hersteller ON Semiconductor
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2SK3707 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK3707
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2SK3707, 2SK3707 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 255,9 KB)
PDF2SK3707-1E Datenblatt Cover
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2SK3707 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2150pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220ML
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STB100NF03L-03-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SIB412DK-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.16nC @ 5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-75-6L Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-75-6L

IPP90R500C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 740µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

RJK0454DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

55W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

FQD17P06TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

7M-12.000MAAE-T

7M-12.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD

LTST-C171KRKT

LTST-C171KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

LT1118CST-2.5#TRPBF

LT1118CST-2.5#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN 2.5V 800MA SOT223-3

SMBJ5.0A-13-F

SMBJ5.0A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

STPS40L40CT

STPS40L40CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB

HSMG-C170

HSMG-C170

Broadcom

LED GREEN DIFFUSED CHIP SMD

MPXM2010GS

MPXM2010GS

NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

LTC2870IFE#PBF

LTC2870IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28TSSOP

AT91SAM9263B-CU

AT91SAM9263B-CU

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 128KB ROM 324TFBGA

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

564R60GAT22

564R60GAT22

Vishay Cera-Mite

CAP CER 220PF 6KV X5F RADIAL