2SK3844(Q)
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| Teilenummer | 2SK3844(Q) |
| PNEDA Teilenummer | 2SK3844-Q |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SK3844(Q) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK3844(Q) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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2SK3844(Q) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 45A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 23A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12400pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220NIS |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket IPAK (TO-251) Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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