2SK4017(Q)
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| Teilenummer | 2SK4017(Q) |
| PNEDA Teilenummer | 2SK4017-Q |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SK4017(Q) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK4017(Q) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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2SK4017(Q) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 20W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PW-MOLD2 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie DTMOSIV-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 61.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 300V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 400W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
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