2SK932-22-TB-E
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK932-22-TB-E | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SK932-22-TB-E | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 50MA 200MW CP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 4.427 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2SK932-22-TB-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK932-22-TB-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
2SK932-22-TB-E, 2SK932-22-TB-E Datenblatt
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2SK932-22-TB-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7.3mA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 50mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 200mV @ 100µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 200mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | 3-CP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 150mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 5 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
