3LN01S-TL-E
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| Teilenummer | 3LN01S-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | 3LN01S-TL-E |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.840 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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3LN01S-TL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 3LN01S-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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3LN01S-TL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 150mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SMCP |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 243nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11825pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 254W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263AB Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 4.5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5305pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ M4 Paket / Fall DirectFET™ Isometric M4 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 58W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
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