4N35M-V
Nur als Referenz
| Teilenummer | 4N35M-V |
| PNEDA Teilenummer | 4N35M-V |
| Beschreibung | OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP |
| Hersteller | Everlight Electronics Co Ltd |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.970 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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4N35M-V Ressourcen
| Marke | Everlight Electronics Co Ltd |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 4N35M-V |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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4N35M-V Technische Daten
| Hersteller | Everlight Electronics Co Ltd |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5000Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 100% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 10µs, 9µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 300mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD (4 Leads), Gull Wing Lieferantengerätepaket 6-MFSOP, 4 Lead |
