55GN01MA-TL-E
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| Teilenummer | 55GN01MA-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | 55GN01MA-TL-E |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.806 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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55GN01MA-TL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 55GN01MA-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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55GN01MA-TL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
| Gewinn | 10dB @ 1GHz |
| Leistung - max | 400mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | 3-MCP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 14dB ~ 26dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB @ 200MHz Gewinn - Leistung - max 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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