A2T18S162W31GSR3
Nur als Referenz
| Teilenummer | A2T18S162W31GSR3 |
| PNEDA Teilenummer | A2T18S162W31GSR3 |
| Beschreibung | IC TRANS RF LDMOS |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.364 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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A2T18S162W31GSR3 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | A2T18S162W31GSR3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
A2T18S162W31GSR3, A2T18S162W31GSR3 Datenblatt
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A2T18S162W31GSR3 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 1.84GHz |
| Gewinn | 20.1dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 1A |
| Leistung - Leistung | 32W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | NI-780GS-2L2LA |
| Lieferantengerätepaket | NI-780GS-2L2LA |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.06GHz Gewinn 16.5dB Spannungstest 32V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 150mA Leistung - Leistung 300W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-502E Lieferantengerätepaket CDFM2 |
