AO3424_102
Nur als Referenz
| Teilenummer | AO3424_102 |
| PNEDA Teilenummer | AO3424_102 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V SOT23 |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.316 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AO3424_102 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AO3424_102 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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AO3424_102 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7720pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie AlphaMOS FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 46W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (5x6) Paket / Fall 8-PowerSMD, Flat Leads |
Hersteller STMicroelectronics Serie SuperMESH5™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 90W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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