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AOB15B60D

AOB15B60D

Nur als Referenz

Teilenummer AOB15B60D
PNEDA Teilenummer AOB15B60D
Beschreibung IGBT 600V 30A 167W TO263
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOB15B60D Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOB15B60D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOB15B60D, AOB15B60D Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 680,85 KB)
PDFAOB15B60D Datenblatt Cover
AOB15B60D Datenblatt Seite 2 AOB15B60D Datenblatt Seite 3 AOB15B60D Datenblatt Seite 4 AOB15B60D Datenblatt Seite 5 AOB15B60D Datenblatt Seite 6 AOB15B60D Datenblatt Seite 7 AOB15B60D Datenblatt Seite 8 AOB15B60D Datenblatt Seite 9

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AOB15B60D Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 15A
Leistung - max167W
Schaltenergie420µJ (on), 110µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge25.4nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/73ns
Testbedingung400V, 15A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)196ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1050A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

Leistung - max

1250W

Schaltenergie

28mJ (on), 30mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

540nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/320ns

Testbedingung

850V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

133ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

110µJ (on), 220µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/127ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 32A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGP30NC60K

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

185W

Schaltenergie

350µJ (on), 435µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/120ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

APT54GA60B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

161A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

534µJ (on), 466µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

158nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/112ns

Testbedingung

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Kürzlich verkauft

BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

Renesas Electronics America

TRIAC 600V 30A TO3P

MLX90615SSG-DAG-000-TU

MLX90615SSG-DAG-000-TU

Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO46-4

VI-LU3-CU

VI-LU3-CU

Vicor

POWER SUPP 24V 8.33A

MC7808CDTG

MC7808CDTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 8V 1A DPAK

MCP9700AT-E/LT

MCP9700AT-E/LT

Microchip Technology

SENSOR ANALOG -40C-125C SC70-5

XC6VSX475T-1FF1759I

XC6VSX475T-1FF1759I

Xilinx

IC FPGA 840 I/O 1759FCBGA

RT0402BRD07100RL

RT0402BRD07100RL

Yageo

RES SMD 100 OHM 0.1% 1/16W 0402

PLA10AN3630R3D2B

PLA10AN3630R3D2B

Murata

COMMON MODE CHOKE 300MA 2LN TH

PFS7539H

PFS7539H

Power Integrations

IC PFC CTLR 1000W 180VAC 16ESIP

IHLP2525AHER1R0M01

IHLP2525AHER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 7A 18.3 MOHM SMD

ISL6262CRZ

ISL6262CRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 48QFN

M24M02-DRMN6TP

M24M02-DRMN6TP

STMicroelectronics

IC EEPROM 2M I2C 1MHZ 8SO