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AOK30B65M2

AOK30B65M2

Nur als Referenz

Teilenummer AOK30B65M2
PNEDA Teilenummer AOK30B65M2
Beschreibung IGBT 650V 30A TO247
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOK30B65M2 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOK30B65M2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOK30B65M2, AOK30B65M2 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 537,16 KB)
PDFAOK30B65M2 Datenblatt Cover
AOK30B65M2 Datenblatt Seite 2 AOK30B65M2 Datenblatt Seite 3 AOK30B65M2 Datenblatt Seite 4 AOK30B65M2 Datenblatt Seite 5 AOK30B65M2 Datenblatt Seite 6 AOK30B65M2 Datenblatt Seite 7 AOK30B65M2 Datenblatt Seite 8 AOK30B65M2 Datenblatt Seite 9

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AOK30B65M2 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Leistung - max300W
Schaltenergie1.02mJ (on), 410µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge63nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.34ns/138ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)339ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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RJP60F4DPM-00#T1

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 30A

Leistung - max

41.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/70ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

APT54GA60BD30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

161A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

534µJ (on), 466µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/112ns

Testbedingung

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

RJH60M2DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

33.8W

Schaltenergie

180µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/70ns

Testbedingung

300V, 12A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

SKB15N60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

139W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/234ns

Testbedingung

400V, 15A, 21Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

279ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

378A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 120A

Leistung - max

882W

Schaltenergie

6.8µJ (on), 3.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/102ns

Testbedingung

400V, 120A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

123ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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