AONX38168
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| Teilenummer | AONX38168 |
| PNEDA Teilenummer | AONX38168 |
| Beschreibung | 25V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL XS |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 9 - Jun 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AONX38168 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AONX38168 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AONX38168 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | XSPairFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC, 85nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1.15nF, 4.52nF @ 12.5V |
| Leistung - max | 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 15V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket PG-TSOP-6-6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max 1.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 |
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