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AOT10B65M1

AOT10B65M1

Nur als Referenz

Teilenummer AOT10B65M1
PNEDA Teilenummer AOT10B65M1
Beschreibung IGBT 650V 10A TO220
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 14.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOT10B65M1 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOT10B65M1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOT10B65M1, AOT10B65M1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 550,87 KB)
PDFAOB10B65M1 Datenblatt Cover
AOB10B65M1 Datenblatt Seite 2 AOB10B65M1 Datenblatt Seite 3 AOB10B65M1 Datenblatt Seite 4 AOB10B65M1 Datenblatt Seite 5 AOB10B65M1 Datenblatt Seite 6 AOB10B65M1 Datenblatt Seite 7 AOB10B65M1 Datenblatt Seite 8 AOB10B65M1 Datenblatt Seite 9

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AOT10B65M1 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Leistung - max150W
Schaltenergie180µJ (on), 130µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/91ns
Testbedingung400V, 10A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)262ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

APT102GA60B2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

183A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

307A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

Leistung - max

780W

Schaltenergie

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

294nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/212ns

Testbedingung

400V, 62A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

APT200GN60B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

283A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 200A

Leistung - max

682W

Schaltenergie

13mJ (on), 11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

1180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/560ns

Testbedingung

400V, 200A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

-

APT100GT60B2RG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

148A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.25mJ (on), 3.125mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

460nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/320ns

Testbedingung

400V, 100A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

IRG4IBC30W

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

130µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/99ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Kürzlich verkauft

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.5A 8SOIC

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MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

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ACPL-C78A-000E

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Diodes Incorporated

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ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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TVS DIODE 5.25V SOT23-3

IRFB13N50A

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB

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