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AOT2606L

AOT2606L

Nur als Referenz

Teilenummer AOT2606L
PNEDA Teilenummer AOT2606L
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 13A TO220
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 7.020
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOT2606L Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOT2606L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOT2606L, AOT2606L Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 349,03 KB)
PDFAOT2606L Datenblatt Cover
AOT2606L Datenblatt Seite 2 AOT2606L Datenblatt Seite 3 AOT2606L Datenblatt Seite 4 AOT2606L Datenblatt Seite 5 AOT2606L Datenblatt Seite 6 AOT2606L Datenblatt Seite 7

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AOT2606L Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A (Ta), 72A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4050pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.1W (Ta), 115W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

960mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.65nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

37pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

690mW (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NVMFS5C442NAFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Ta), 140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

TSM033NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 121A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5022pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PDFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRFPS40N50L

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8110pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

Paket / Fall

TO-274AA

CSD25404Q3T

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

104A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2120pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSON (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Kürzlich verkauft

ADM2484EBRWZ

ADM2484EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

CDBU0130L-HF

CDBU0130L-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

MBRD1035CTLG

MBRD1035CTLG

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK

NDS331N

NDS331N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3

ADA4870ARRZ

ADA4870ARRZ

Analog Devices

IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 20PSOP3

SMBJ36A-13-F

SMBJ36A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

MIC2026-2YM

MIC2026-2YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

MAX253CSA+T

MAX253CSA+T

Maxim Integrated

IC DRVR TRANSFORMER 8-SOIC

EPCS4SI8N

EPCS4SI8N

Intel

IC CONFIG DEVICE 4MBIT 8SOIC

N25Q256A13ESF40G

N25Q256A13ESF40G

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2

MAMK2520T2R2M

MAMK2520T2R2M

Taiyo Yuden

FIXED IND 2.2UH 1.9A 117 MOHM

LM2903DR

LM2903DR

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.8MA 8-SOIC