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AOU3N60

AOU3N60

Nur als Referenz

Teilenummer AOU3N60
PNEDA Teilenummer AOU3N60
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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AOU3N60 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOU3N60
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AOU3N60, AOU3N60 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 276,87 KB)
PDFAOU3N60_001 Datenblatt Cover
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AOU3N60 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds370pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)56.8W (Tc)
Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-251-3
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

979pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

STD100N10F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4369pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMNH6008SPSQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.5A (Ta), 88A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2597pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD60R3K3C6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

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MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

93pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

18.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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