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APT102GA60L

APT102GA60L

Nur als Referenz

Teilenummer APT102GA60L
PNEDA Teilenummer APT102GA60L
Beschreibung IGBT 600V 183A 780W TO264
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $47,6568
100 ---------- $45,4229
250 ---------- $43,1890
500 ---------- $40,9551
750 ---------- $39,0935
1.000 ---------- $37,2319
Auf Lager 20
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APT102GA60L Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT102GA60L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT102GA60L Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)183A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)307A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 62A
Leistung - max780W
Schaltenergie1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge294nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/212ns
Testbedingung400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 [L]

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

160µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/93ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

310A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

860A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

3.3mJ (on), 1.88mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

STGF10NC60KD

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

STGB20M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

140µJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/108ns

Testbedingung

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

166ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

2.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

123nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/93ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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