APT10M07JVR
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT10M07JVR |
| PNEDA Teilenummer | APT10M07JVR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.866 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT10M07JVR Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT10M07JVR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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APT10M07JVR Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS V® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 225A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1050nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21600pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1797pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PQFN (3x3) Paket / Fall 8-VQFN Exposed Pad |
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