APT14M100S
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| Teilenummer | APT14M100S |
| PNEDA Teilenummer | APT14M100S |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.158 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT14M100S Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT14M100S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APT14M100S Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 880mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3965pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D3Pak |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 160A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 370W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK (7-Lead) Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
