APT25GR120SSCD10
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| Teilenummer | APT25GR120SSCD10 |
| PNEDA Teilenummer | APT25GR120SSCD10 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.248 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT25GR120SSCD10 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT25GR120SSCD10 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
APT25GR120SSCD10, APT25GR120SSCD10 Datenblatt
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APT25GR120SSCD10 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 521W |
| Schaltenergie | 434µJ (on), 466µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 203nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16ns/122ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | D3Pak |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Leistung - max 250W Schaltenergie 130µJ (on), 121µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/29ns Testbedingung 400V, 15A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/90ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 277W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 94nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/143ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 54ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
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