APT34M120J
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| Teilenummer | APT34M120J |
| PNEDA Teilenummer | APT34M120J |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT34M120J Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT34M120J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APT34M120J Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18200pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 960W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 58µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 38W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-31 Full Pack Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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