APT44GA60B
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| Teilenummer | APT44GA60B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT44GA60B | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 1.083 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APT44GA60B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT44GA60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT44GA60B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 78A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 130A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 26A |
| Leistung - max | 337W |
| Schaltenergie | 409µJ (on), 258µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 128nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16ns/84ns |
| Testbedingung | 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 35A Leistung - max 300W Schaltenergie 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/160ns Testbedingung 960V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
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Hersteller IXYS Serie Polar™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 85A Leistung - max 330W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 143nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 80W Schaltenergie 220µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/100ns Testbedingung 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 118A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 224A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 543W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/100ns Testbedingung 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2] |
