APT45GR65BSCD10
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT45GR65BSCD10 |
| PNEDA Teilenummer | APT45GR65BSCD10 |
| Beschreibung | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.086 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APT45GR65BSCD10 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | APT45GR65BSCD10 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APT45GR65BSCD10 Datasheet
- where to find APT45GR65BSCD10
- Microsemi
- Microsemi APT45GR65BSCD10
- APT45GR65BSCD10 PDF Datasheet
- APT45GR65BSCD10 Stock
- APT45GR65BSCD10 Pinout
- Datasheet APT45GR65BSCD10
- APT45GR65BSCD10 Supplier
- Microsemi Distributor
- APT45GR65BSCD10 Price
- APT45GR65BSCD10 Distributor
APT45GR65BSCD10 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 118A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 224A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Leistung - max | 543W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 203nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/100ns |
| Testbedingung | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A Leistung - max 200W Schaltenergie 400µJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/130ns Testbedingung 300V, 37A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 32A Leistung - max 140W Schaltenergie 320µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/85ns Testbedingung 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 2W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 65ns/250ns Testbedingung 300V, 15A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 74A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max 278W Schaltenergie 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 92nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/116ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 25A Leistung - max 375W Schaltenergie 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 114nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/128ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
