Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT50GT120B2RDQ2G
PNEDA Teilenummer APT50GT120B2RDQ2G
Beschreibung IGBT 1200V 94A 625W TO247
Hersteller Microsemi
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.760
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT50GT120B2RDQ2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT50GT120B2RDQ2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • APT50GT120B2RDQ2G Datasheet
  • where to find APT50GT120B2RDQ2G
  • Microsemi

  • Microsemi APT50GT120B2RDQ2G
  • APT50GT120B2RDQ2G PDF Datasheet
  • APT50GT120B2RDQ2G Stock

  • APT50GT120B2RDQ2G Pinout
  • Datasheet APT50GT120B2RDQ2G
  • APT50GT120B2RDQ2G Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APT50GT120B2RDQ2G Price
  • APT50GT120B2RDQ2G Distributor

APT50GT120B2RDQ2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)94A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Leistung - max625W
Schaltenergie2330µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge340nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/230ns
Testbedingung800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRG4PC40K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

10mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/400ns

Testbedingung

960V, 35A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

41nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/150ns

Testbedingung

480V, 24A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

APT64GA90LD30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1192µJ (on), 1088µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/131ns

Testbedingung

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

IRG4PC40KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Kürzlich verkauft

FNM-30

FNM-30

Eaton - Bussmann Electrical Division

FUSE CARTRIDGE 30A 250VAC 5AG

ADUM1201CRZ-RL7

ADUM1201CRZ-RL7

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

LPC1788FBD208,551

LPC1788FBD208,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 208LQFP

PA0277NL

PA0277NL

Pulse Electronics Power

FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

3314J-1-103E

3314J-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W J LEAD TOP

MC14040BDR2G

MC14040BDR2G

ON Semiconductor

IC COUNTER 12BIT CMOS 16SOIC

XC7Z020-2CLG484I

XC7Z020-2CLG484I

Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 766MHZ 484BGA

S-8261ABMMD-G3MT2U

S-8261ABMMD-G3MT2U

ABLIC

IC BATT PROTECTION

D5V0L4B5SO-7

D5V0L4B5SO-7

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 14V SOT353

BYW80-200G

BYW80-200G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

HX1198FNL

HX1198FNL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX

STPS15H100CB-TR

STPS15H100CB-TR

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK