APT64GA90B
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| Teilenummer | APT64GA90B |
| PNEDA Teilenummer | APT64GA90B |
| Beschreibung | IGBT 900V 117A 500W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.606 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT64GA90B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT64GA90B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT64GA90B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 117A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 193A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 38A |
| Leistung - max | 500W |
| Schaltenergie | 1857µJ (on), 2311µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 162nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/131ns |
| Testbedingung | 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 117A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 193A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 38A Leistung - max 500W Schaltenergie 1192µJ (on), 1088µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 162nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/131ns Testbedingung 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 42A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 7.8A Leistung - max 49W Schaltenergie 240µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/160ns Testbedingung 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1.13mJ (on), 310µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/115ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 45ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 150W Schaltenergie 160µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/75ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
